第455章 回归与材料学卷一结（第1页）

第455章回归与材料学【卷一结）

咚咚咚，一阵敲门声响起，正在审阅文件的方叶并没有抬头随口说道:“进来。

门被推开，秘书程昱走了进来，他身后还跟着一位已是中青年的男子，旦见来人面色圆润，头发四六分，戴着一副黑边框眼镜，而他进来之后，却是站得笔直。

“董事长，您看谁回来了。”

程昱一脸欣喜的说道。

方叶抬头，随之愣了一下，他搁下手中的文件，站了起来，就见来人瞬间眼眶就红了，报道:“董事长，许耀明完成学业归来，向您报到。

quot;方叶来到他的身旁，双手放到许耀明的肩膀上，仔细的打量着，双手重重一按，慰声道:“回来就好，这些年辛苦你了。”

许耀明抬手擦了擦眼睛，随即将手中的一个蓝色的本本递向了方叶说道:“这是我的学业成绩，请董事长审阅。

方叶接过掀开看了起来，这是瑞典皇家理工学院的博士学位证书，1963年2月刚刚颁发的还热呼着呢，方叶高兴的说道:“恭喜你，从今以后我们华昌又多了一位博士。

七年前，也就是1956年，许耀明被方叶派往瑞典学习，那时他还是一位26岁的小伙子，如今七年过去，当初的青春脸庞已经褪去，多了一份学者风范和成熟。

方叶拉着他坐了下来，随手泡起了茶，而许耀明则介绍着他这些年在瑞典的学习经历，1956年抵瑞后，便进入了斯德哥尔摩大学为斯两年的进修，期间努力学习瑞典语和英语，1958年硕士研究生毕业后考入瑞典皇家理工学院攻读博士研究生学位，五年后顺利完成答辩。

学业的是反而不是方叶最关心的，他更关心许耀明的个人生活情况，于是问道:“在那边找女朋友没有?

许耀明说道:“没有，我与公派留学生一样，留学期间不谈恋爱。

方叶点了点头，将茶递了过去，略作思索说道:“现在回来了，工作的事凭你个人意愿是进研究院还是进工厂都行，不过这些事情不是最重要的，你现在要做的是先回上海看望父母，而后尽快解决个人婚姻问题，终身大事不能耽误。

许耀明说道:“这些年不在国内，不知道华昌发展情况，工作的事情还听从董事长的安排。

一旁的程昱随即将华昌这些年的发展给他作了介绍，而后说道:“华昌现在分成了华昌和华为两个集团。

华昌研究院主要从事机电类和金属材料类研究，华为那边是半导体和计算机技术类研究。

目前集团共有2。8万余人，其中研究人员约3100人，但2300余人都在华为那边。

“没想到这几年公司已经发展得这么大了。

“许耀明感叹的说道:“我博士攻读的是电气工程及自动化专业，所以还是能做专业工作，无论是研究还是进工厂都行。

方叶想了想说道:“集团在机电技术领域未来的重点方向是半导体设备及数控机床技术，术而其中半导体设备是重点攻关方向，包括激光光刻机和刻蚀机，这两个设备技术起点高、研究难度大，就个人的看法，建议你在这两个方向中选一个。

quot;哪个难度最高?”

许耀明问道。

“就目前来说，光刻机难度最高。”

方叶答道。

“那我选光刻机。

quot;你要考虑清楚了，虽然你在国外学的是电气自动化专业，但是光刻机还涉及到激光技术，这里的专业性一点也不比你在瑞典的学业难度低。”

许耀明坚定的答道:“董事长，我想清楚了，我选光刻机!

方叶点了点头:“行，那你加入华为，到唐九华学部委员手下工作，光刻机项目目前他在负责。

“不过，过去之后，你对第一代银汞灯光刻机技术做到基本掌握和理解就行，但第二代的接触式激光光刻机就需要认真研究，现在该型光刻机已经投入集成电路生产，而我们接下来要搞的是第三代接近式光刻机，采用高能气体激光技术，因此你可能需要分别到清华和中科院长春光机所进修一段时间。

quot;方叶所说的第一与第二代光刻机，其实并不是历史上的路线划分，而是基于中国光刻技术发展路径进行的划分，第一代采用银汞灯紫外线，其功率受限，生产效率慢，精度难的保证，极限只能达到90微米，且良品率低，而第二代接触式光刻机采用的是激光技术。

该型光刻机在1962年投入使用，但它的技术得到了升级，过去的胶片掩模版损耗大，成品良率低，因此改成了石英掩模版，精度极限虽说能到3微米，但是这种极限良品率不足20%，因此最大只能到做到12至15微米，而我国卖给南斯拉夫的就是第一代技术。

正在研发的第三代接近式光刻机与第二代接触式相同之处是都采用激光光源，不过光源生成原理不同，第三代采用的是气体激光发生器技术，能产生400nm左右的波长，属于第一代uv紫外线光刻技术，其能够将工艺节点达到3至5微米，缺点是依旧无法分布光刻。

所谓分布式光刻，其实就是晶圆载台能够移动，并通过激光不停的投射将掩模版上的电路图像分布排列到晶圆上，减少了生产过程中人为操作和过程繁复对良率的影响。

简单点说，就是现下的光刻机，并不能一次性在整块晶圆上全部光刻完，只能一片片的生产芯片，这种技术的缺点就是，若大批量生产就需要大量光刻机，同时生产过程中良品率依旧需要提高。

第三代光刻机不用再将掩模版压到晶圆上，其掩模版与晶圆之间有间隙并不接触，所以需要的激光能束更高，光源发射器的组件也就不同，这种技术方式不仅能减少光刻中的掩模版损耗，光束漫射等问题，而且电路图案更清晰，良品率也会更高一旦该技术投入使用之后，就能够进行大规模集成电路生产了，生产成本将会大幅的降低，集成电路产品走进千家万户将不再是问题，而要进行超大规模的集成电路生产，其生产效率和良品率都需要进一步提高，这将是第四代光刻技术也即--分布式光刻机。